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J-GLOBAL ID:201302293546299262   整理番号:13A1843737

Si(111)上のエピタキシャル遷移金属モノシリサイド薄膜の磁性の歪み安定化と膜厚依存性

Strain stabilization and thickness dependence of magnetism in epitaxial transition metal monosilicide thin films on Si(111)
著者 (2件):
資料名:
巻: 88  号: 11  ページ: 115433.1-115433.13  発行年: 2013年09月 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 1098-0121  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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B20構造の3d遷移金属モノシリサイドMnSi,FeSiの構造,電子特性,磁性に対するエピタキシャル歪みの影響を密度汎関数法を用いて調べた。MnSi/Si(111)薄膜ヘテロ構造について膜厚を変えた計算を行った。その結果,厚膜極限において,歪みに誘起される体積膨張や磁気モーメントの増加,Curie温度の上昇を見いだした。これらの結果は実験結果とも一致し,シリサイドにおける電子相関の効果を示した。FeSiの軌道構造,状態密度を計算し,FeSiがエピタキシャル歪みで強磁性半金属状態になる可能性を示した。
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分類 (1件):
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その他の無機化合物の磁性 

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