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J-GLOBAL ID：201302293657956505   整理番号：13A1354451

TiO₂ ReRAMにおける電流追従性依存の非線形性

Current Compliance-Dependent Nonlinearity in TiO₂ ReRAM

著者 (7件)： LENTZ Florian ,  ROESGEN Bernd ,  RANA Vikas ,  WOUTERS Dirk J. (Interuniversity Microelectronics Center, Leuven, BEL) ,  WOUTERS Dirk J. (Ethiopian Satellite Television, Leuven, BEL) ,  WASER Rainer (RWTH Aachen Univ., Aachen, DEU) ,  WASER Rainer (Forschungszentrum Juelich GmbH, Juelich, DEU)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 8  ページ： 996-998  発行年： 2013年08月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-絶縁体-金属のスイッチング素子構造は将来の不揮発性酸化還元ベース抵抗性RAM(ReRAM)の主要素である。本稿では,フォーミング/セットプロセス中での電流追従性を用いたTiO₂ ReRAMにおける非線形性の調整について報告した。通常のnチャネルMOSFETの上にTiN/TiO₂/Ti/Pt積層抵抗体を形成して,1T-1R型のReRAMを構成した。制御された電気的フォーミング処理の結果,TiO₂の厚さが25nmおよび5nmに対して,リセット電流が60μAおよび30μAと非常に低い値の安定的スイッチング動作が得られた。活性層の厚さの低減とその結果によるスイッチング電流の減少はデバイスの非線形性を改善することが分った。

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  電気抵抗 ,  *非線形性 ,  電流制御 ,  *過程 ,  酸化チタン
準シソーラス用語： *ReRAM ,  *フォーミングプロセス

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： TiO2 ,  ReRAM ,  追従性 ,  非線形性