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J-GLOBAL ID:201302293976267054   整理番号:13A1933081

化学エッチングZnSe表面での表面増強Raman散乱

Surface-Enhanced Raman Scattering on a Chemically Etched ZnSe Surface
著者 (4件):
資料名:
巻: 117  号: 44  ページ: 23372-23377  発行年: 2013年11月07日 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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分子ビームエピタキシーでGaAs基板上に成長したZnSe結晶の化学エッチング薄膜面に吸着した4-メルカプトピリジンプローブからの表面増強Raman散乱(SERS)の観測実験を行った。化学エッチングによるZnSeナノ粒子サイズは,Mie理論に基づく近接場プラズモン増強最大効率実現のための値近傍に設定した。そして,ZnSeのバンドギャップ近傍のレーザ光励起(~514.5nm)で顕著な増強挙動が見られた。本結果は,観測SERSが表面プラズモン,電荷移動,バンドギャップの組み合わせ共鳴に基づくことを示唆した。
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分類 (4件):
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原子・分子のクラスタ  ,  有機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  ,  固体プラズマ  ,  半導体薄膜 
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