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J-GLOBAL ID：201302294322504193   整理番号：13A1508914

ナノスケールのCsSnI₃斜方晶ペロブスカイト薄膜と粒子の室温”ワンポット”溶液合成

Room temperature “one-pot” solution synthesis of nanoscale CsSnI₃ orthorhombic perovskite thin films and particles

著者 (5件)： ZHOU Yuanyuan (School of Engineering, Brown Univ., Providence, RI 02912, USA) ,  GARCES Hector F. (School of Engineering, Brown Univ., Providence, RI 02912, USA) ,  SENTURK Bilge S. (School of Engineering, Brown Univ., Providence, RI 02912, USA) ,  ORTIZ Angel L. (Departamento de Ingenieria Mecanica, Energetica y de los Materiales, Universidad de Extremadura, 06006 Badajoz, ESP) ,  PADTURE Nitin P. (School of Engineering, Brown Univ., Providence, RI 02912, USA)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 110  ページ： 127-129  発行年： 2013年11月01日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ヨウ化セシウムスズの斜方晶ペロブスカイト多形(B-γ-CsSnI₃)は電気的及び光学的性質の興味深い組み合わせを有する。室温でナノスケールのB-γ-CsSnI₃の溶液合成と処理のため単純な”ワンポット”法が使用可能であることを示した。この方法は極性溶媒の特定の組み合わせへのSnI₂とCsI粉末の溶解を伴い,透明な溶液をもたらす。溶媒の蒸発は基板上へのB-γ-CsSnI₃の生成につながり,溶液濃度に依存してナノ結晶性薄膜又はナノ粒子の形となる。他の研究で示される様に,溶液処理する前に真空溶融又は固相反応によりB-γ-CsSnI₃相を合成する必要がない。これは固体色素増感太陽電池と将来的なオプトエレクトロニックデバイスへの利用が期待されるナノスケールのB-γ-CsSnI₃相の溶液合成とプロセッシングに重要な意味を持つ。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヨウ化物 ,  *セシウム化合物 ,  *スズ化合物 ,  斜方晶系 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  *薄膜 ,  *ナノ粒子 ,  *ワンポット合成 ,  濃度依存性 ,  太陽電池 ,  色素 ,  固体素子 ,  オプトエレクトロニクス
準シソーラス用語： オプトエレクトロニクスデバイス ,  色素増感太陽電池

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノスケール ,  斜方晶 ,  ペロブスカイト ,  薄膜 ,  室温 ,  ポット ,  溶液