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J-GLOBAL ID:201302294597702190   整理番号:13A0003842

Ba8-xEuxCuySi46-y公称成分の貴金属シリコン包接化合物の熱電性質に及ぼすユウロピウム置換の効果

Effect of Europium Substitution on Thermoelectric Properties of Noble-Metal Silicon Clathrates with Ba8-xEuxCuySi46-y Nominal Compositions
著者 (7件):
資料名:
巻: 53  号:ページ: 1220-1225 (J-STAGE)  発行年: 2012年 
JST資料番号: G0668A  ISSN: 1345-9678  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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公称成分Ba8-xEuxCuySi46-y(x=0,1,2;y=4,5,6)の包接化合物の電子的,熱電性質に及ぼすゲスト元素の希土類元素の置換の効果を調べる。希土類元素で置換したBa8-xEuxCuySi46-yサンプルのSeebeck係数および電気伝導度は,n型伝導および金属的挙動と一致している。Ba8-xEuxCu6Si40の室温でのHall担体移動度は,Eu置換の増加とともに減少する。希土類元素で置換したBa8-xEuxCu6Si40(x=1,2)の伝導バンド効果有効質量は,実験での評価ではBa8Cu6Si40のそれより大きい。Ba6Eu2Cu6Si40およびBa8Cu6Si40の電子構造第一原理計算に基づいた推論では,Ba8Cu6Si40の伝導バンドエッジがゲスト原子BaのEu置換によって変更され,実験結果と一致する状態密度実効質量の増加をもたらす。(翻訳著者抄録)
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半導体結晶の電気伝導 
引用文献 (35件):
  • 1) G. A. Slack: Proc. Mat. Res. Soc. Symp. Vol. 478, eds. by T. M. Tritt, M. G. Kanatzidis, H. B. Lyon, Jr. and G. D. Mahan, (MRS Press, Warrendale, Pennsylvania, 1997) pp. 47–54.
  • 2) J. L. Cohn, G. S. Nolas, V. Fessatidis, T. H. Metcalf and G. A. Slack: Phys. Rev. Lett. 82 (1999) 779–782.
  • 3) G. Nolas, J. L. Cohn, G. A. Slack and S. B. Schujman: Appl. Phys. Lett. 73 (1998) 178–180.
  • 4) H. Anno, M. Hokazono, M. Kawamura and K. Matsubara: Proc. 22nd. Int. Conf. on Thermoelectrics (ICT2003), (IEEE, Piscataway, New Jersey, 2003) pp. 121–126.
  • 5) M. Hokazono, M. Kawamura, H. Anno and K. Matsubara: Trans. MRS-J. 29 (2004) 2793–2796.
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