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J-GLOBAL ID：201302294683832446   整理番号：13A0400429

イオン注入によって作製されたSiCN膜の磁気秩序

The Magnetic Ordering of SiCN films prepared by Ion Implantation

著者 (3件)： MENG Xu-Dong (Hebei North Univ., Zhangjiakou, CHN) ,  YANG Fu (Hebei North Univ., Zhangjiakou, CHN) ,  LIU Xiao-yu (Zhangjiakou Vocational and Technical Coll., Zhangjiakou, CHN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 531/532  ページ： 325-328  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCNは新しい種類のワイドギャップ半導体として工業的に広く利用されている。この研究では,SiCN膜をイオン注入によってSi基板上に作製し,N濃度と室温での膜の強磁性の関係について調べ,強磁性の要因を考察した。その結果,Nイオンの注入量とともに磁性が高まることがわかった。注入量とともに膜表面の欠陥が増えて空孔が形成される。NイオンはC原子を置換し,Si空孔の荷電状態と,磁気モーメントを引き起こすスピン分極を決定する。こうして,N原子が強磁性を引き起こすことになる。

シソーラス用語： *ケイ素化合物 ,  *炭化物 ,  *窒化物 ,  *半導体薄膜 ,  マグネトロンスパッタリング ,  基板 ,  ケイ素 ,  炭化ケイ素 ,  *イオン注入 ,  磁気秩序 ,  *強磁性 ,  *スパッタ蒸着 ,  *窒素
準シソーラス用語： 炭窒化ケイ素

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン注入 ,  作製 ,  磁気秩序