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J-GLOBAL ID：201302295087903782   整理番号：13A0072646

Gd₂O₃ナノ粒子を用いた基板表面を装飾したGdBa₂Cu₃O_7-δ薄膜の臨界電流密度の増強

Enhanced critical current density in GdBa₂Cu₃O_7-δ thin films with substrate surface decoration using Gd₂O₃ nanoparticles

著者 (8件)： TRAN D.h. (Dep. of Physics, Chungbuk National Univ., Cheongju 361-763, KOR) ,  PUTRI W.b.k. (Dep. of Physics, Chungbuk National Univ., Cheongju 361-763, KOR) ,  WIE C.h. (Dep. of Physics, Chungbuk National Univ., Cheongju 361-763, KOR) ,  KANG B. (Dep. of Physics, Chungbuk National Univ., Cheongju 361-763, KOR) ,  LEE N.h. (Dep. of Physics, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR) ,  KANG W.n. (Dep. of Physics, Sungkyunkwan Univ., Suwon 440-746, KOR) ,  LEE J.y. (Convergence Technol. Lab., Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul 130-650, KOR) ,  SEONG W.k. (Convergence Technol. Lab., Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul 130-650, KOR)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 526  ページ： 241-245  発行年： 2012年12月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板表面GdBCO装飾がGdBa₂Cu₃O_7-δ(GdBCO)薄膜の臨界電流密度(J_c)に及ぼす影響を調べた。GdBCO装飾前に,均一に分布したGd₂O₃ナノ粒子を基板表面にパルスレーザ蒸着した。Gd₂O₃装飾SrTiO₃(STO)基板上に蒸着したGdBCO膜は高いJ_cを示した。これは膜/基板界面のGd₂O₃ナノ粒子と誘起した線欠陥に起因した。Gd₂O₃装飾により,大きなF_pmax値の観点からピン止め力F_pが有意に向上した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *臨界電流密度 ,  *高温超伝導体 ,  *超伝導薄膜 ,  酸化ガドリニウム ,  バリウム化合物 ,  銅化合物 ,  ナノ粒子 ,  磁束ピン止め ,  格子欠陥 ,  *銅酸化物超伝導体
準シソーラス用語： 線欠陥 ,  *銅酸化物系超伝導体

分類 (1件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (7件)： Gd2O3 ,  ナノ粒子 ,  基板表面 ,  装飾 ,  薄膜 ,  臨界電流密度 ,  増強