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J-GLOBAL ID：201302295747408593   整理番号：12A1798897

溶液プロセスを用いたドナー・アクセプタ交互共重合体の電気特性と光伝導特性

The electrical and photoconductivity characteristics of donor-acceptor alternating copolymer using solution process

著者 (6件)： WOO JEONG Shin (Display and Nanosystem Lab., Coll. of Engineering, Korea Univ., Anam-dong, Seongbuk-Gu, Seoul 136-713, KOR) ,  BACK LEE Gi (Dep. of Chemistry & RIGET, Gyeongsang National Univ., Jinju 660-701) ,  HA Hyeon-jun (Display and Nanosystem Lab., Coll. of Engineering, Korea Univ., Anam-dong, Seongbuk-Gu, Seoul 136-713, KOR) ,  KWON Soon-ki (Dep. of Chemistry & RIGET, Gyeongsang National Univ., Jinju 660-701) ,  KIM Yun-hi (Dep. of Chemistry & RIGET, Gyeongsang National Univ., Jinju 660-701) ,  KWON JU Byeong (Display and Nanosystem Lab., Coll. of Engineering, Korea Univ., Anam-dong, Seongbuk-Gu, Seoul 136-713, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 24  ページ： 243301-243301-5  発行年： 2012年12月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オプトエレクトロニクスに応用するAl/PONDPP/p-Si/Alのハイブリッド有機/無機Schottkyダイオードのドナー-アクセプタ交互共重合体ポリ(ジオクチルオキシナフタレンジケトピローロピロール)(PONDPP)の電気特性と光伝導特性について報告する。作製したデバイスは,電流-電圧特性から得られた2.6の理想因子値と0.68eVの障壁高さを示す。1.86×10⁴の高い整流比と650nmで55mA/Wの光感度が達成される。結果から,光応答と電気的特性は,シリコン価電子帯とPONDPPの高い正孔移動度に対して最高被占分子軌道におけるSchottky障壁を持つように変更されたバンドギャップ構造に起因していることを見出した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  *オプトエレクトロニクス ,  *高分子半導体 ,  *光伝導 ,  電流電圧特性 ,  高さ ,  *因子 ,  *感度 ,  比率 ,  *バンドギャップ ,  Schottky障壁 ,  *交互共重合体 ,  反応機構
準シソーラス用語： Schottkyダイオード ,  ドナー・アクセプター系 ,  *光感度 ,  障壁高さ ,  整流比 ,  理想因子

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

物質索引 (2件)： 1,5-ビス(オクチルオキシ)ナフタレン ,  3,6-ビス(2-チエニル)-2,5-ビス(2-エチルヘキシル)ピロロ[3,4-c]ピロール-1,4(2H,5H)-ジオン

タイトルに関連する用語 (7件)： 溶液 ,  プロセス ,  ドナー ,  アクセプタ ,  交互共重合体 ,  電気特性 ,  光伝導