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J-GLOBAL ID：201302295881914306   整理番号：13A1824730

65nm CMOSで作製した低電圧マッチラインセンシングスキームを備えた250MHz 18Mb完全3値CAM

A 250-MHz 18-Mb Full Ternary CAM With Low-Voltage Matchline Sensing Scheme in 65-nm CMOS

著者 (11件)： HAYASHI Isamu (Renesas Electronics Corp., Hyogo, JPN) ,  AMANO Teruhiko (Renesas Electronics Corp., Hyogo, JPN) ,  WATANABE Naoya (Renesas Electronics Corp., Hyogo, JPN) ,  YANO Yuji (Renesas Electronics Corp., Hyogo, JPN) ,  KURODA Yasuto (Renesas Electronics Corp., Hyogo, JPN) ,  SHIRATA Masaya (Renesas Electronics Corp., Hyogo, JPN) ,  DOSAKA Katsumi (Renesas Electronics Corp., Hyogo, JPN) ,  NII Koji (Renesas Electronics Corp., Hyogo, JPN) ,  NII Koji (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  NODA Hideyuki (Renesas Electronics Corp., Hyogo, JPN) ,  KAWAI Hiroyuki (Renesas Electronics Corp., Hyogo, JPN)
資料名： IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)
巻： 48  号： 11  ページ： 2671-2680  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *連想メモリ ,  *三値論理 ,  *CMOS構造 ,  センス増幅器 ,  差動増幅器 ,  半導体集積回路 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： TCAM

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOS ,  作製 ,  低電圧 ,  3値 ,  CAM