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J-GLOBAL ID：201302296177902390   整理番号：13A1630106

Mn₅Ge₃/Ge/Mn₅Ge₃ナノワイヤトランジスタにおける電気的なスピン注入及び検出

Electrical Spin Injection and Detection in Mn₅Ge₃/Ge/Mn₅Ge₃ Nanowire Transitors

著者 (14件)： TANG Jianshi (Univ. California, California, USA) ,  WANG Chiu-Yen (Univ. California, California, USA) ,  WANG Chiu-Yen (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  WANG Chiu-Yen (National Taiwan Univ. Sci. and Technol., Taipei, TWN) ,  CHANG Li-Te (Univ. California, California, USA) ,  FAN Yabin (Univ. California, California, USA) ,  NIE Tianxiao (Univ. California, California, USA) ,  CHAN Michael (Univ. California, California, USA) ,  JIANG Wanjun (Univ. California, California, USA) ,  CHEN Yu-Ting (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  YANG Hong-Jie (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  TUAN Hsing-Yu (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Lih-Juann (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  WANG Kang L. (Univ. California, California, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 13  号： 9  ページ： 4036-4043  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウムドープGeナノワイヤにRTAプロセスでMnとのSchottky接合を形成し,強磁性Mn₅Ge₃をソース/ドレインとした欠陥の無い強磁性/半導体接合を持ったMn₅Ge₃/Ge/Mn₅Ge₃ナノワイヤトランジスタを作製した。電流バイアスの無いとき,磁気抵抗(MR)はヒステレシスの無い対称な特性を示すのに対し,大きな電流バイアスのあるとき,負であり且つヒステレシスを持った特性を2K~50Kにおいて示し,明らかにスピンが強磁性Mn₅Ge₃からGeナノワイヤに注入され,大きなバイアスが強磁性/半導体接合の空乏域を減らしスピン注入効率を増大させていることを示した。加えて,MRの振幅はGeナノワイヤのチャネル長とともに指数関数的に減衰し,10Kにおいてそのスピン拡散距離は480±13nm,スピン寿命は244ps以上であり,バルクP型のGeのそれらに比し顕著に増強されていることを示した。

シソーラス用語： *マンガン化合物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *ゲルマニウム ,  *ナノワイヤ ,  インジウム ,  ドーピング ,  P型半導体 ,  強磁性 ,  *トランジスタ ,  注入 ,  バイアス ,  拡散距離 ,  寿命 ,  スピン分極 ,  半導体接合 ,  磁気抵抗 ,  電場効果 ,  ヒステリシス
準シソーラス用語： スピン拡散距離 ,  スピン寿命 ,  *スピン注入

分類 (2件)： 金属結晶の磁性  (BM06040T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ge ,  ナノワイヤトランジスタ ,  スピン注入