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J-GLOBAL ID：201302296234599969   整理番号：13A0248290

スパッタした2層構造を持つCu-In-Se前駆体の電子線照射

Electron beam irradiation of sputtered Cu-In-Se precursors with double layered structure

著者 (2件)： JEONG Chaehwan (Applied Optics and Energy Res. Group, Korea Inst. of Industrial Technol., 1110-9 Oryong-dong, Buk-gu, Gwangju ...) ,  KIM Chae-woong (Applied Optics and Energy Res. Group, Korea Inst. of Industrial Technol., 1110-9 Oryong-dong, Buk-gu, Gwangju ...)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 92  ページ： 216-219  発行年： 2013年02月01日 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DCおよびRFスパッタリング法を用いて2層構造を持つCu-In-Se前駆体を作製し,その場電子線照射ユニットで照射を行った。照射時間,電子ドーズおよび強度を,それぞれ300s,200WのRFパワーおよび2.5kVのDCパワーで一定に保った。全ての電子線照射したCuInSe₂膜の厚さは,850nmから700nmまで低下し,Cu₂Se/In₂Se₃構造に,界面間のより良い密着が観察された。太陽電池に適用可能なSe/(Cu+In)組成比1.24および1.22を持つ5mTorrで形成されたIn₂Se₃/Cu₂Se構造中に,電子線照射したCuInSe₂膜の結晶特性が明確に見られた。CuInSe₂太陽電池を形成した。その変換効率は6.82%で,390mVの開放電圧,32.3mA/cm²の短絡電流密度および54%のフィルファクターを示した。Cu-In-Se前駆体への電子線照射はCuInSe₂膜作製のためのよい候補となり得る。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 基板 ,  ソーダ石灰ガラス ,  マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  RFスパッタリング ,  *セレン化銅 ,  *インジウム化合物 ,  *セレン化物 ,  前駆体 ,  *多層膜 ,  銅化合物 ,  電子照射 ,  *セレン化インジウム銅 ,  付着 ,  *太陽電池 ,  *エネルギー変換効率 ,  電圧 ,  開路 ,  電流密度
準シソーラス用語： DCスパッタリング ,  セレン化インジウム ,  セレン化銅インジウム ,  開放電圧 ,  短絡電流密度 ,  電子線照射 ,  密着 ,  二層構造

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： スパッタ ,  2層構造 ,  Cu ,  Se ,  前駆体 ,  電子線照射