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J-GLOBAL ID：201302296249187691   整理番号：13A0358719

電気化学的堆積法により作製したp-型のCo₃O₄ナノシートにおけるバイポーラ抵抗スイッチング

Bipolar resistive switching in p-type Co₃O₄ nanosheets prepared by electrochemical deposition

著者 (5件)： YOUNIS Adnan (Univ. of New South Wales, School of Materials Sci. and Engineering, 2052, Sydney, New South Wales, AUS) ,  CHU Dewei (Univ. of New South Wales, School of Materials Sci. and Engineering, 2052, Sydney, New South Wales, AUS) ,  LIN Xi (Univ. of New South Wales, School of Materials Sci. and Engineering, 2052, Sydney, New South Wales, AUS) ,  LEE Jiunn (Univ. of New South Wales, School of Materials Sci. and Engineering, 2052, Sydney, New South Wales, AUS) ,  LI Sean (Univ. of New South Wales, School of Materials Sci. and Engineering, 2052, Sydney, New South Wales, AUS)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 8  号： 1  ページ： 1-5  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属酸化物ナノシートはナノクリスタル形成ブロックとして新しいナノ電子工学での応用への潜在能力を持つ。この研究では,バイポーラ-抵抗型スイッチング特性を有するAu/p-型Co₃O₄ナノシート/ガラスの構造からなるデバイスを成功裏に作製した。実験結果はこのデバイスが25以上の安定した高/低の抵抗率比を持ち,200サイクル以上の耐久性を示し,10000秒以上のデータ保持機能をもつことを示した。作製した直後のデバイスでこのような優れた性能を持つことはバルク膜とCo₃O₄/インジウムスズ酸化物ガラス基板の界面効果として説明できる。Copyright 2013 Younis et al.; licensee Springer. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *電着 ,  *P型半導体 ,  *酸化コバルト ,  ナノ結晶 ,  *ナノ構造 ,  *スイッチング ,  金 ,  ガラス ,  耐久性 ,  電気抵抗率 ,  酸化インジウムスズ ,  ナノシート
準シソーラス用語： *四三酸化コバルト ,  *抵抗スイッチング

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 電気化学 ,  堆積 ,  作製 ,  バイポーラ ,  抵抗スイッチング