文献

J-GLOBAL ID：201302296549730796   整理番号：13A1797010

ナノスケール酸化物上の分子ダイポールモノレイヤを使用するnチャネル有機電界効果トランジスタの漏れ電流の低減

Reducing Leakage Currents in n-Channel Organic Field-Effect Transistors Using Molecular Dipole Monolayers on Nanoscale Oxides

著者 (9件)： HARDIGREE Josue F. Martinez (Johns Hopkins Univ., Maryland, USA) ,  DAWIDCZYK Thomas J. (Johns Hopkins Univ., Maryland, USA) ,  IRELAND Robert M. (Johns Hopkins Univ., Maryland, USA) ,  JOHNS Gary L. (Johns Hopkins Univ., Maryland, USA) ,  JUNG Byung-Jun (Johns Hopkins Univ., Maryland, USA) ,  NYMAN Mathias (Abo Akademi Univ., Abo, FIN) ,  OESTERBACKA Ronald (Abo Akademi Univ., Abo, FIN) ,  MARKOVIC Nina (Johns Hopkins Univ., Maryland, USA) ,  KATZ Howard E. (Johns Hopkins Univ., Maryland, USA)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 5  号： 15  ページ： 7025-7032  発行年： 2013年08月14日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本文では,有機電界効果トランジスタ(OFET)のゲート漏れ電流を低減するために二極性シランの自己集合モノレイヤ(SAM)の使用を検討した。OFETのしきい値電圧をシフトするために使用されたSAMの例は報告されているが,ゲート漏れ電流を低減するために使用されるSAMダイポールの調査は初めてである。計算された気相ダイポールがそれぞれー0.31とー3.49Dであるオクチルトリエトキシシラン(OTS)と1H,1H,2H,2H-ペルフルオロ-オクチルトリエトキシシランのふたつの有機シランを使用した。SAMダイポールのゲート漏れ電流の低減に対する明確な寄与を実証した。

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  漏れ電流 ,  単一層 ,  双極子 ,  シラン
準シソーラス用語： ゲート漏れ電流 ,  ダイポール ,  モノレイヤ ,  *有機電界効果トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： オクチルトリエトキシシラン

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノスケール ,  酸化物 ,  分子 ,  Nチャネル ,  有機電界効果トランジスタ ,  漏れ電流