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J-GLOBAL ID：201302296723151768   整理番号：13A0954744

Cd₂₀Se_80-xM_x(M:Zn,In,およびSn)薄膜合金の光学的性質

Optical properties of Cd₂₀Se_80-x M _x (M: Zn, In, and Sn) thin film alloys

著者 (5件)： HAFIZ M.m. (Physics Dep., Fac. of Sci., Assiut Univ., Assiut 71516, Egypt) ,  MAHFOZ KOTB H. (Physics Dep., Fac. of Sci., Assiut Univ., Assiut 71516, Egypt) ,  MAHFOZ KOTB H. (Physics Dep., Fac. of Sci., King Faisal Univ., Al-Hassa 31982, P.O. Box 400, Saudi Arabia) ,  DABBAN M.a. (Physics Dep., Fac. of Sci., Assiut Univ., Assiut 71516, Egypt) ,  ABDEL-LATIF A.y. (Physics Dep., Fac. of Sci., Assiut Univ., Assiut 71516, Egypt)
資料名： Optics & Laser Technology  (Optics & Laser Technology)
巻： 49  ページ： 188-195  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： D0245B  ISSN： 0030-3992  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱蒸発法によりガラス基板にCd₂₀Se_80-xM_x(M:Zn,InまたはSnおよびx=0&10)非晶質薄膜を堆積した。200-2500nmの波長領域において,透過率と反射率のスペクトルから吸収係数のスペクトル依存性を決定した。直接および間接の電子遷移は,Cd₂₀Se₈₀薄膜の光学的性質の原因となったが,直接電子遷移だけが,他の膜合金において活性であった。第三元素の付加による光学バンドギャップ(E_g)の変化を,局在状態(E_e)の幅や化学結合モデル(CBA)で検討した。膜の光学定数(屈折率(n)と吸収係数(k))を研究し,Wemple-DiDomenico単一振動子モデルを利用して,屈折率の分散を検討した。薄膜の体積(VELF)と表面(SELF)エネルギー損失関数に加えて誘電率の実数と虚数の成分も決定した。通常,Znの添加は,InまたはSnの添加と反対の効果があった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： エネルギー損失 ,  フォトニックバンドギャップ ,  *光学的性質 ,  化学結合 ,  電子遷移 ,  吸収係数 ,  光学定数 ,  損失関数 ,  透過率 ,  *金属薄膜 ,  *カドミウム合金 ,  セレン合金 ,  亜鉛合金 ,  スズ合金 ,  反射率
準シソーラス用語： ガラス基板 ,  非晶質薄膜

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (5件)： Zn ,  Sn ,  薄膜 ,  合金 ,  光学的性質