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J-GLOBAL ID：201302296817509780   整理番号：13A1195810

創エネ,省エネ,蓄エネマテリアルとしての「グラフェン」とその可能性 デバイス応用に向けたグラフェン基板の研究開発

著者 (2件)： 日浦英文 (NEC スマートエネルギー研) ,  塚越一仁 (物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
資料名： 月刊Material Stage  (マテリアルステージ)
巻： 13  号： 3  ページ： 13-17  発行年： 2013年06月10日 
JST資料番号： L5969A  ISSN： 1346-3926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： グラフェンの独特な物性,及びその物性を活用したデバイス,電極,構造材などへの利用の可能性を記した。グラフェン作製の従来法である機械的剥離,化学気相蒸着,及び炭化ケイ素基板熱分解に加え,液相成長について記した。ガリウムなどの液体金属をフラックス(高温用溶媒)として利用し,炭素源からの炭素を成長用基板まで輸送する。6H-SiCを炭素源,成長用基板の両方に用いて作製したグラフェンの薄膜(10層以下)と厚膜(20層以上)の顕微鏡観察像を示した。ダイヤモンド(ダイヤモンド),六方晶系窒化ホウ素(4H-SiC),4H-SiC(4H-SiC),6H-SiC(6H-SiC),サファイア(ガラス状炭素),及び石英ガラス(ガラス状炭素)を,成長基板(炭素源)に用いて作製したグラフェンについてもRamanスペクトルを示した。成長基板の表面加工などについて記した。様々な炭素源を用い,大面積グラフェンをCVD程度の温度で,耐熱性の絶縁体基板上にグラフェン成長を行うことができることを記述した。

シソーラス用語： *炭素材 ,  *基板 ,  *フラックス法 ,  ガリウム ,  液体金属 ,  薄膜 ,  厚膜 ,  光学顕微鏡法 ,  電子顕微鏡観察 ,  炭化ケイ素 ,  ダイヤモンド ,  窒化ホウ素 ,  サファイア ,  ガラス状炭素 ,  石英ガラス ,  Ramanスペクトル ,  基板温度 ,  電子状態 ,  キャリア移動度 ,  光透過 ,  Young率 ,  破断強さ ,  ナノ構造 ,  材料 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： ナノ炭素材料 ,  炭素源 ,  透過型電子顕微鏡観察 ,  破断強度

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (22件)：

• 1) K. S. Novoselov et al., Science, 306, 666 (2004)
• 2) T. Ando, NPG Asia Mater. 1, 17 (2009)
• 3) M. Orlita et al., Phys. Rev. Lett. 101, 267601(2008)
• 4) R. R. Bair, et al., Science 320, 1308 (2008)
• 5) A. C. Lee, et al, Science 321, 385 (2008)

タイトルに関連する用語 (7件)： 創 ,  省エネ ,  グラフェン ,  可能性 ,  応用 ,  研究 ,  開発