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J-GLOBAL ID：201302296875622405   整理番号：13A1449364

分子動力学による数層グラフェンを横切る熱移動機構

Heat transfer mechanism across few-layer graphene by molecular dynamics

著者 (3件)： SHEN Meng (Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA) ,  SCHELLING Patrick K. (Univ. Central Florida, Florida, USA) ,  KEBLINSKI Pawel (Rensselaer Polytechnic Inst., New York, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 88  号： 4  ページ： 045444.1-045444.9  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非平衡分子動力学(NEMD)シミュレーションにより原型Si/n-グラフェン/Si構造の界面熱コンダクタンスを決定した。また,波束動力学シミュレーションそして解析的質量スプリング模型により個別的フォノンの透過係数を評価した。個々のフォノンに対して,周波数とグラフェン層の個数の両方に依存するコヒーレントフォノンの干渉効果の明白な証拠を示した。これは,界面コンダクタンスがグラフェン層の個数に依存しうることを示唆した。しかし,界面コンダクタンスが本質的にグラフェン層の個数からは独立であることを見出した。周波数および角度にわたるすべてのフォノンに関して積分して界面コンダクタンスを計算することによりこの矛盾を解決した。グラフェン層を直接加熱すると,一方のSIリード線からグラフェン層の他方のSiリード線から熱が輸送されるときよりもグラフェン/Siの接触熱コンダクタンスは5倍小さかった。これは,加熱されるグラフェン内の高い周波数モードと低い周波数モード間の熱移動に付随する抵抗に帰着された。

シソーラス用語： 分子動力学 ,  *炭素材 ,  計算機シミュレーション ,  *コンダクタンス ,  界面 ,  *ケイ素 ,  フォノン ,  透過率 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 数層グラフェン ,  透過係数 ,  *熱コンダクタンス

分類 (1件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 分子動力学 ,  数層グラフェン ,  熱移動