文献

J-GLOBAL ID：201302297636499622   整理番号：13A1418877

プラズマ支援分子ビームエピタクシーによる6H-SiC(0001)基板上の平均GaNモル比が最高20%のAlN/GaN短周期超格子のコヒーレント成長

Coherent Growth of AlN/GaN Short-Period Superlattice with Average GaN Mole Fraction of up to 20% on 6H-SiC(0001) Substrates by Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy

著者 (5件)： KANEKO Mitsuaki (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIKUCHI Ryosuke (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  OKUMURA Hironori (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 8,Issue 2  ページ： 08JE21.1-08JE21.4  発行年： 2013年08月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平均GaNモル比が高い高結晶品質のAlN/GaN短周期超格子を得るために,AlNバリア層とGaN井戸層の厚みが超格子成長に及ぼす影響を調べた。AlNバリア層厚を8二層(BL)に低減し,GaN井戸層厚を2BLに保って,平均GaNモル比が20%のコヒーレント成長を実現した。AlNバリア層厚をさらに薄くすると,格子が緩和し結晶品質が低下した。種々の井戸厚と障壁厚を持つ成長層を透過型電子顕微鏡,X線回折,原子間力顕微鏡により調べた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MBE成長 ,  炭化ケイ素 ,  窒化ガリウム ,  窒化アルミニウム ,  *化合物半導体 ,  半導体材料 ,  被覆層 ,  品質 ,  *超格子
準シソーラス用語： 6H-SiC ,  GaN ,  バリア層 ,  *プラズマ支援MBE成長 ,  結晶品質

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

引用文献 (26件)：

• 1) K. Kishino, A. Kikuchi, H. Kanazawa, and T. Tachibana: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 1234.
• 2) N. Iizuka, K. Kaneko, N. Suzuki, T. Asano, S. Noda, and O. Wada: Appl. Phys. Lett. 77 (2000) 648.
• 3) N. Iizuka, K. Kaneko, and N. Suzuki: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 1803.
• 4) J. Hamazaki, S. Matsui, H. Kunugita, K. Ema, H. Kanazawa, T. Tachibana, A. Kikuchi, and K. Kishino: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 1102.
• 5) D. Hofstetter, J. D. Francesco, P. K. Kandaswamy, and E. Monroy: Appl. Phys. Lett. 98 (2011) 071104.

タイトルに関連する用語 (12件)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  6H-SiC ,  平均 ,  GaN ,  モル比 ,  AlN ,  短周期 ,  超格子 ,  コヒーレント ,  成長