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J-GLOBAL ID：201302297913217079   整理番号：13A0015143

底面コンタクト有機薄膜トランジスタにおける構造に依存するコンタクト障壁

Structure-Dependent Contact Barrier Effects in Bottom-Contact Organic Thin-Film Transistors

著者 (3件)： FENG Linrun (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN) ,  XU Xiaoli (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN) ,  GUO Xiaojun (Shanghai Jiao Tong Univ., Shanghai, CHN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 12  ページ： 3382-3388  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二つの底面コンタクト構造(スタガートと反転コプレナー)誘起薄膜トランジスタ(OTFT)の電気特性に対する構造依存コンタクト障壁効果の影響を,数値シミュレーションで調査比較した。スタガートデバイスのドレイン飽和電流(I_dsat)は反転コプレナーよりもソース/ドレイン電極厚さの変動に敏感である。反転コプレナーデバイスのI_dsatはスタガートデバイスよりも強くコンタクト障壁に依存し,その依存度はS/D電極上の半導体層ステップカバレージに大きく影響される。反転コプレナーOTFTに対して険しいステップカバレージプロファイルと低いコンタクト障壁は,コンタクト障壁とステッププロファイルの変動にたいしてI_dsatの許容度を高めるものである。ゲート構造は駆動電流に対する障壁効果に何らの影響も与えない。

シソーラス用語： 薄膜トランジスタ ,  有機半導体 ,  Schottky障壁 ,  半導体金属接合 ,  電流電圧特性 ,  依存性 ,  シミュレーション ,  *電気特性 ,  電流 ,  分布
準シソーラス用語： Schottky接合 ,  ドレイン電流 ,  *OTFT ,  *構造依存性 ,  数値シミュレーション ,  電界分布

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 面コンタクト ,  有機薄膜トランジスタ ,  コンタクト ,  障壁