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J-GLOBAL ID：201302298033648638   整理番号：13A1196528

ルブレンをベースとする単結晶有機半導体 合成,電子構造及び電荷移動特性

Rubrene-Based Single-Crystal Organic Semiconductors: Synthesis, Electronic Structure, and Charge-Transport Properties

著者 (9件)： MCGARRY Kathryn A. (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  XIE Wei (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  SUTTON Christopher (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  RISKO Chad (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  WU Yanfei (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  YOUNG Victor G., Jr. (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  BREDAS Jean-Luc (Georgia Inst. of Technol., Georgia, USA) ,  FRISBIE C. Daniel (Univ. Minnesota, Minnesota, USA) ,  DOUGLAS Christopher J. (Univ. Minnesota, Minnesota, USA)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 25  号： 11  ページ： 2254-2263  発行年： 2013年06月11日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6,11-ジクロロ-5′,12-テトラセンジオンに対する,ボロン酸を用いたカップリング反応による第一置換基セットの導入,キノンへのアリールリチウムの求核付加による第二置換基セットの導入,HIによるジオール還元の3段階反応により,6種のルブレン誘導体(2-7)を合成し,それぞれのx線単結晶構造と,B3LYP/6-31G(d,p)レベルの密度汎関数理論計算(DFT)から求めた幾何学及び電子構造を決定した。誘導体5-7はルブレン(1)と同じπ-スタッキングモチーフを持つ斜方晶系に属し,幾何学及び電子構造は主要な点で1と同じであった。分子間電子カップリング(輸送積分)と周期的電子構造のDFT計算結果から,5-7は1と同等もしくはそれ以上の電荷移動能を持つことが示唆されたが,5を用いて作成した単結晶FETの正孔及び電子移動度の最大値はそれぞれ1.58,0.28cm²V^-1s^-1で,デバイス構造の関係上,1に対して報告されている値には達しなかった。

シソーラス用語： *単結晶 ,  *有機半導体 ,  *化学合成 ,  *電子構造 ,  *電荷移動 ,  ホウ素化合物 ,  カップリング反応 ,  求核付加反応 ,  還元 ,  化合物 ,  X線構造解析 ,  分子間相互作用 ,  斜方晶系 ,  FET【トランジスタ】 ,  *キャリア移動度
準シソーラス用語： π-πスタッキング ,  ボロン酸 ,  正孔移動度 ,  電子移動度 ,  誘導体

分類 (4件)： 有機化合物の結晶構造一般  (BK08001A) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  四環以上の炭素縮合多環化合物  (CF06090C)

物質索引 (8件)： 5,12-ビス(3,5-ジメチルフェニル)-6,11-ビス(4-メチルフェニル)ナフタセン ,  5,12-ビス(3,5-ジメチルフェニル)-6,11-ビス[4-(トリフルオロメチル)フェニル]ナフタセン ,  5,12-ビス(4-メチルフェニル)-6,11-ジフェニルナフタセン ,  5,12-ビス[4-(トリフルオロメチル)フェニル]-6,11-ジフェニルナフタセン ,  5,12-ビス[4-(トリフルオロメチル)フェニル]-6,11-ビス(4-メチルフェニル)ナフタセン ,  5,6,11,12-テトラキス(4-メチルフェニル)ナフタセン ,  6,11-ジクロロナフタセン-5,12-ジオン ,  ルブレン

タイトルに関連する用語 (5件)： ルブレン ,  単結晶 ,  有機半導体 ,  電子構造 ,  電荷移動