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J-GLOBAL ID：201302298164898435   整理番号：13A0931186

GaNベースPIN放射線検出器の漏れ電流に及ぼすSiO_2層不活性化の影響

The Influence of SiO_2 Layer Passivation on the Leakage Current of GaN-based PIN Radiation Detectors

著者 (4件)： Yuan Yuanlin (Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics,Chinese Acad. of Sci., Jiangsu, Suzhou) ,  Yao Changsheng (Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics,Chinese Acad. of Sci., Jiangsu, Suzhou) ,  Wang Guo (Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics,Chinese Acad. of Sci., Jiangsu, Suzhou) ,  Lu Min (Suzhou Inst. of Nano-tech and Nano-bionics,Chinese Acad. of Sci., Jiangsu, Suzhou)
資料名： Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan  (Guti Dianzixue Yanjiu yu Jinzhan)
巻： 32  号： 2  ページ： 110-114  発行年： 2012年 
JST資料番号： C2084A  ISSN： 1000-3819  CODEN： GDYJE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： SiO_2層不活性化の有無に拘わらず,GaNベースPIN放射線検出器を組み立てた。著者らが実験で観察した検出の電流電圧(I~V)特性は,SiO_2層不活性化が検出器逆漏れ電流を有意こに減らすことを示した。漏れ電流は,逆バイアスが40Vのとき,約2桁減少した。著者らは,検出器逆漏れ電流に及ぼすSiO_2層不活性化の抑制効果が逆バイアスの増強でますます明らかになることも観察した。そして,表面チャネルモデルを研究して逆漏れ電流のSiO_2層不活性化の抑制を説明した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *放射線検出器 ,  酸化ケイ素 ,  不活性化 ,  漏れ電流 ,  バイアス ,  作用 ,  抑制
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  抑制効果

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  放射線検出器 ,  漏れ電流 ,  不活性化