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J-GLOBAL ID:201302298414118775   整理番号:13A0027206

薄膜シリコン太陽電池高効率化のためのナノ結晶3C-SiC:H/微結晶Si:Hヘテロ接合素子の開発

著者 (1件):
資料名:
号: 26  ページ: 521-526  発行年: 2012年12月 
JST資料番号: L5491A  ISSN: 0919-3383  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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μc-Siまたはa-3C-SiC:H二層構造のヘテロ接合薄膜素子に関する報告は見当たらない。二層化が各薄膜構造に及ぼす影響と,ヘテロ接合の電気的特性について検討した。特に,nc-3C-SiC:H薄膜成長時の水素ガス流量がつくられるヘテロ接合素子の特性にもたらす影響について検討した。FSiC(H2)を高くして成膜することが,良好な素子特性を得るために必要であると判明した。
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分類 (1件):
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太陽電池 
引用文献 (4件):
  • [1] 小長井誠編著、「薄膜太陽電池の基礎と応用」 (オーム社、2001)
  • [2] Y. Komura, A. Tabata, T. Narita, A. Kondo, T. Mizutani, J. Non-Cryst. Solids 352 (2006) 1367
  • [3] 田畑彰守、「触媒CVD(Cat-CVD)の新展開- ラジカルを用いる新プロセス技術(中山弘監 修、シーエムシー出版、2008)」、第1章4節
  • [4] A. Tabata, Y. Hoshide, A. Kondo, Mater. Sci. Eng. B 175 (2010) 201

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