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J-GLOBAL ID：201302298849372282   整理番号：13A0493124

フレキシブル高分子基板上に六方晶窒化ホウ素誘電体を持つ高性能電流飽和グラフェン電界効果トランジスタ

High-Performance Current Saturating Graphene Field-Effect Transistor With Hexagonal Boron Nitride Dielectric on Flexible Polymeric Substrates

著者 (7件)： LEE Jongho (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  HA Tae-Jun (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  PARRISH Kristen N. (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  CHOWDHURY Sk.Fahad (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  TAO Li (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  DODABALAPUR Ananth (Univ. Texas at Austin, TX, USA) ,  AKINWANDE Deji (Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 34  号： 2  ページ： 172-174  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは将来の高速エレクトロニクス用途に適した2次元カーボンモノレイヤで,超高移動度,中程度チャネル長におけるサブテラヘルツ遮断周波数および両極性電気対称性など優れた特性を持つ。本研究では,ゲート電極と六方晶窒化ホウ素(h-BN)誘電体との埋め込み組合せ構造を持つグラフェントランジスタを,フレキシブル基板上に実装した。二段階アニーリングプロセスと捕捉-放出を導入しにより,この構造を実現した。このトランジスタは先端電気特性とプラスティック上に世界最初の電流飽和を実現した。また本研究は,h-BNの利点により,グラフェンデバイスに対するフレキシブル基板の実現を可能にした。

シソーラス用語： 窒化ホウ素 ,  *炭素材 ,  *FET【トランジスタ】 ,  フレキシブル基板 ,  単一層 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： モノレイヤ ,  *電界効果トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 高分子基板 ,  六方晶窒化ホウ素 ,  誘電体 ,  高性能 ,  飽和 ,  グラフェン ,  電界効果トランジスタ