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J-GLOBAL ID：201302299250854641   整理番号：13A1091915

過酷環境で使う為の高広帯域光利得と高速光スイッチングを持つ数層のMoS₂

Few-Layer MoS₂ with High Broadband Photogain and Fast Optical Switching for Use in Harsh Environments

著者 (9件)： TSAI Dung-Sheng (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIU Keng-Ku (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LIEN Der-Hsien (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  TSAI Meng-Lin (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  KANG Chen-Fang (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LIN Chin-An (National Taiwan Univ., Taipei, TWN) ,  LI Lain-Jong (Academia Sinica, Taipei, TWN) ,  LI Lain-Jong (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  HE Jr-Hau (National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
資料名： ACS Nano  (ACS Nano)
巻： 7  号： 5  ページ： 3905-3911  発行年： 2013年05月 
JST資料番号： W2326A  ISSN： 1936-0851  CODEN： ANCAC3  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 背中合わせのMSM形状を持ち,過酷環境で使う為の動作温度200°Cまでの可視~UV領域広帯域光検出可能な数層MoS₂ショットキPDsを報告する。過酷環境用の広帯域高感度/光利得で高速光応答のMSM PDsに数層MoS₂を使う2Dナノ材料が初めて実証される。CVDによる高品質数層MoS₂の合成が報告され,本研究では大面積高結晶MoS₂層が2段階熱分解プロセスで作製された。10Vバイアスで,13.3の光利得は0.57A/WまでのMoS₂超高応答と検出感度~10¹⁰cm Hz^1/2/Wの結果を齎す。MoS₂ MSM PDsは立ち上がり時間~70μsと立ち下がり時間~110μsの高速で安定した特性を示す。本研究は,画像技術や光波通信に於ける過酷環境用の2Dナノベース光学開発の道を開く。

シソーラス用語： *硫化物 ,  *モリブデン化合物 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *光検出器 ,  *環境 ,  紫外線 ,  可視光 ,  ナノ構造 ,  材料 ,  *応答 ,  化学蒸着 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *利得 ,  *高速度 ,  感度 ,  時間 ,  ナノ材料
準シソーラス用語： *過酷環境 ,  光応答 ,  光利得 ,  立ち下がり時間 ,  立上り時間

分類 (1件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 過酷環境 ,  広帯域 ,  光利得 ,  光スイッチング ,  MoS2