文献

J-GLOBAL ID：201302299812261347   整理番号：13A0321948

Fe₂O₃緩衝層を有するサファイア基板上へのコランダム構造型In₂O₃薄膜の成長

Growth of corundum-structured In₂O₃ thin films on sapphire substrates with Fe₂O₃ buffer layers

著者 (3件)： SUZUKI Norihiro (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Katsura, Kyoto 615-8510, JPN) ,  KANEKO Kentaro (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Katsura, Kyoto 615-8510, JPN) ,  FUJITA Shizuo (Photonics and Electronics Sci. and Engineering Center, Kyoto Univ., Katsura, Kyoto 615-8520, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 364  ページ： 30-33  発行年： 2013年02月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： α-Fe₂O₃緩衝層を有するサファイア基板おいて,α-Al₂O₃とα-Ga₂O₃と共に半導体4元系膜を完成できる,菱面体コランダム構造型In₂O₃(α-In₂O₃)薄膜の製膜を報告する。X線回折は,α-In₂O₃の形成を示した。また,α-In₂O₃膜は,電子濃度1.2×10¹⁸cm^-3と電子移動度83cm²/Vsを有するn型半導体性特性を示した。α-In₂O₃は,横方向サイズ300~600nmの粒子構造を有し,粒子領域内では,α-In₂O₃がサファイア基板上にエピタキシャル成長していた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *コランダム型結晶 ,  *酸化インジウム ,  基板 ,  サファイア ,  *バッファ層 ,  酸化鉄 ,  三方晶系 ,  X線回折 ,  *キャリア移動度 ,  *キャリア密度 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *化学蒸着 ,  電子移動度 ,  電子濃度 ,  ミストCVD ,  鉱石 ,  宝石

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： Fe2O3 ,  緩衝層 ,  サファイア基板 ,  コランダム ,  薄膜 ,  成長