文献

J-GLOBAL ID：201302299932909570   整理番号：13A1693982

分子線エピタキシー時に成長温度を変化させることによるGaNナノロッド直径の制御

Control of GaN nanorod diameter by changing growth temperature during molecular-beam epitaxy

著者 (2件)： TAMBO H. ,  ASAHI H.
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 383  ページ： 57-62  発行年： 2013年11月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタキシーでGaNナノロッド直径を制御するために,段階的に成長温度を変化させて調査した。成長温度が低下すると,GaNナノロッド直径は,低温度成長の進展とともに徐々に増加することが分かった。それどころか,成長温度をナノロッド成長時に高くすると,直径が逆に減少する変化を観測した。GaN表面上のGa吸着原子密度と,GaNナノロッドの解離は,ナノロッドの形状変化に重要な役割を果たした。そして,成長温度を調節することによって,GaNナノロッドの直径を制御することができた。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *窒化ガリウム ,  *ナノロッド ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  基板温度 ,  *温度依存性 ,  *直径

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子線エピタキシー ,  成長温度 ,  GaN ,  ナノロッド ,  直径