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J-GLOBAL ID：201302299933790509   整理番号：13A1928759

グラフェンとナノエレクトロニクス

Graphene for nanoelectronics.

著者 (2件)： 佐藤信太郎 (産業技術総合研 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセ) ,  佐藤信太郎 (富士通研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 82  号： 12  ページ： 1012-1023  発行年： 2013年12月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： グラフェンは炭素から成る原子1層分の厚みの2次元材料である。2004年に優れた電気特性が初めて報告された後,その特異な物理的性質に興味が集まるとともに,エレクトロニクス応用や,フォトニクス応用に関する研究が精力的に行われてきた。本稿では,グラフェンのエレクトロニクス応用,特にトランジスタや配線応用に関する近年の研究動向や,グラフェン形成技術についてレビューする。エレクトロニクス応用に向けた技術的課題を明らかにするとともに,今後のグラフェンデバイスへの期待について述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： *炭素材 ,  *電子技術 ,  トランジスタ ,  配線 ,  *固体素子 ,  ナノ構造 ,  リボン結晶 ,  バンド構造 ,  酸化膜 ,  接触抵抗 ,  薄膜成長 ,  *グラフェン ,  ゲート絶縁膜 ,  *グラフェン素子 ,  ナノリボン ,  化成皮膜
準シソーラス用語： *ナノエレクトロニクス ,  集積回路配線

分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

引用文献 (167件)：

• 1) J.W. McClure: Physical Rev. 104, 666 (1956).
• 2) J.C. Slonczewski and P.R. Weiss: Physical Rev. 109, 272 (1958).
• 3) P.R. Wallace: Physical Rev. 71, 622 (1947).
• 4) R.E. Peierls: Ann. I.H. Poincare 5, 177 (1935).
• 5) L.D. Landau: Phys. Z. Sowjetunion 11, 26 (1937).

タイトルに関連する用語 (2件)： グラフェン ,  ナノエレクトロニクス