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J-GLOBAL ID：201302299935407753   整理番号：13A0794745

横方向振動微細構造のスクイーズ膜減衰における基板の影響

SUBSTRATE EFFECT IN SQUEEZE FILM DAMPING OF LATERAL OSCILLATING MICROSTRUCTURES

著者 (3件)： LI Mo (Univ. California, Davis, USA) ,  ROUF Vashwar T. (Univ. California, Davis, USA) ,  HORSLEY David A. (Univ. California, Davis, USA)
資料名： Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems  (Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems)
巻： 26th Vol.1  ページ： 393-396  発行年： 2013年 
JST資料番号： W0377A  ISSN： 1084-6999  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,基板の近接効果を説明する横方向振動板で微細構造のスクイーズ膜減衰のためのモデルを提案した。新しいモデルは,基板までの距離が板間の空隙に同等かまたは小さい時,基板影響が2から4倍までMEMS装置の減衰係数を増加する,ことを示した。長い長方形板の閉形解を本研究で見つけた。解を,FEMにより検証し,そして新モデルはFEM結果と12%内で一致した。MEMS共振器をモデルを実験的に検証するのに用いた。共振器の減衰は,101kPaから約100Paまでの範囲の圧力で振動板と振動ばねからのスクイーズ膜エア減衰により支配された。希薄エア減衰モデルを,共振器の機械Q値を予測するため提案したモデルと組合せた。理論モデルは,実験結果と良く一致し,そして推定減衰の精度を,実験で研究した共振器幾何形状で2倍まで改善した。

シソーラス用語： *スクイーズ膜 ,  *横振動 ,  *微細構造 ,  近接効果 ,  MEMS ,  減衰定数 ,  長方形板 ,  有限要素法 ,  共振器 ,  減衰 ,  振動板 ,  ばね ,  Q値
準シソーラス用語： MEMS共振器 ,  理論モデル

分類 (2件)： 振動の励起・発生・測定  (BB02030Z) ,  振動伝搬  (BB02040K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 横方向振動 ,  微細構造 ,  スクイーズ膜 ,  減衰