特許

J-GLOBAL ID：201303000100704143

酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにその製造方法

発明者： 畠 英雄 ,  田尾 幸樹 ,  金丸 守賀 ,  南部 旭 ,  岩崎 祐紀
出願人/特許権者： 株式会社コベルコ科研
代理人 (5件)： 植木 久一 ,  植木 久彦 ,  菅河 忠志 ,  伊藤 浩彰 ,  竹岡 明美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-242891
公開番号（公開出願番号）：特開2013-095655
出願日： 2011年11月04日
公開日（公表日）： 2013年05月20日
要約：

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を異常放電を抑制しつつ成膜可能な酸化物焼結体を提供する。【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn2O3+m(mは5〜7の整数)相を主相とし、In2O3、及びZnOの各結晶相を含むと共に、相対密度85%以上、比抵抗0.1Ω・cm以下である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸化亜鉛と;酸化インジウムと;Ti、Mg、Al、およびNbよりなる群から選択される少なくとも1種の金属の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をX線回折したとき、ZnmIn2O3+m(mは5〜7の整数)相を主相とし、In2O3、及びZnOの各結晶相を含むと共に、相対密度85%以上、比抵抗0.1Ω・cm以下であることを特徴とする酸化物焼結体。

IPC (4件)：

C04B 35/453 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/363

FI (4件)：

C04B35/00 P ,  C23C14/34 A ,  C23C14/08 K ,  H01L21/363

Fターム (23件)：

4G030AA07 ,  4G030AA16 ,  4G030AA20 ,  4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030AA36 ,  4G030BA02 ,  4G030GA27 ,  4G030GA28 ,  4K029BA44 ,  4K029BA45 ,  4K029BA48 ,  4K029BA49 ,  4K029BA50 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC22 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30