インライン型プラズマCVD装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤巻正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-050734
公開番号（公開出願番号）：特開2013-187315
出願日： 2012年03月07日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：

【課題】簡易な装置で、多数の基板を均一に加熱することができるインライン型プラズマCVD装置を提供する。【解決手段】インライン型プラズマCVD装置の成膜チャンバ3内に、グラファイトカーボン製のプレート11上に載置された複数個のSi基板12が装入され、プレート11の下方に配置されたヒータ31により、プレート11を介して基板12が加熱される。ヒータ31は、上板310と下板310との間に平面内で蛇行するように抵抗発熱線311が配置されており、抵抗発熱線311の相互間には、絶縁性のスペーサ312が配置されている。抵抗発熱線311は、プレートの中央部に対応する第1部分31bが疎に、プレートの両側部に対応する第2部分31a及び第3部分31cが密になるように配置されている。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

内部の大気開放及び真空吸引が可能なロードチャンバ及びアンロードチャンバと、内部の装入物を真空状態で加熱する予備加熱チャンバと、内部の装入物に対し真空状態でプラズマCVDにより成膜する成膜チャンバと、を有し、複数個の基板を載置したプレートが、前記ロードチャンバで真空雰囲気にされた後、この真空状態を保持したまま、前記予備加熱チャンバに装入されて前記プレート上の基板が加熱され、次いで、真空状態を保持したまま、前記成膜チャンバに装入されて前記プレート上の基板にプラズマCVDにより成膜され、前記アンロードチャンバで真空状態から大気に開放されて、前記プレート上の成膜後の基板が取り出されるインライン型プラズマCVD装置において、前記成膜チャンバ内に、前記プレート上の前記基板を前記プレートの下方から加熱するヒータが設けられており、前記ヒータは、上板と、下板と、前記上板及び下板の間に平面内で蛇行するように配置された抵抗発熱線と、この抵抗発熱線の相互間に配置された絶縁性のスペーサと、を有し、前記抵抗発熱線は、前記プレートの中央部に対応する第1部分が疎に、前記プレートの両側部に対応する第2部分及び第3部分が密になるように配置されていることを特徴とするインライン型プラズマCVD装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 , C23C 16/46 , H01L 31/04 , H01L 21/205

FI (4件)：

H01L21/31 C , C23C16/46 , H01L31/04 B , H01L21/205

Fターム (30件)：

4K030BA40 , 4K030CA04 , 4K030CA17 , 4K030DA02 , 4K030FA03 , 4K030GA04 , 4K030GA12 , 4K030KA02 , 4K030KA15 , 4K030KA23 , 4K030LA16 , 5F045AA08 , 5F045AB33 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AF03 , 5F045BB03 , 5F045CA13 , 5F045DP13 , 5F045DP18 , 5F045DQ15 , 5F045EB08 , 5F045EH14 , 5F045EK07 , 5F045EK12 , 5F045EK14 , 5F045EK22 , 5F045EM10 , 5F045EN05 , 5F151CA15

前のページに戻る