特許
J-GLOBAL ID:201303002237862024
半導体集積装置
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
家入 健
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-133010
公開番号(公開出願番号):特開2013-004654
出願日: 2011年06月15日
公開日(公表日): 2013年01月07日
要約:
【課題】SiPのチップ間を接続するための端子数が増加する。【解決手段】パッケージ内部に第1の半導体チップと第2の半導体チップが集積される半導体集積回路であって、前記第1の半導体チップは、第1の通信部と、複数のアナログ回路とを備え、前記第2の半導体チップは、第2の通信部と、前記複数のアナログ回路の特性調整用データを格納するメモリ部とを備え、前記第1の通信部と前記第2の通信部とがシリアルデータ通信線で接続され、前記シリアルデータ線を経由して前記第1の半導体チップが備える複数のアナログ回路の特性調整用データをそれぞれ複数のアナログ回路に転送する半導体集積回路。【選択図】図1
請求項(抜粋):
パッケージ内部に第1の半導体チップと第2の半導体チップが集積される半導体集積回路であって、
前記第1の半導体チップは、第1の通信部と、複数のアナログ回路とを備え、
前記第2の半導体チップは、第2の通信部と、前記複数のアナログ回路の特性調整用データを格納するメモリ部とを備え、
前記第1の通信部と前記第2の通信部とがシリアルデータ通信線で接続され、前記シリアルデータ線を経由して前記第1の半導体チップが備える複数のアナログ回路の特性調整用データをそれぞれ複数のアナログ回路に転送する
半導体集積回路。
IPC (4件):
H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 21/82
, G06F 15/78
FI (4件):
H01L27/04 V
, H01L27/04 E
, H01L21/82 F
, G06F15/78 510E
Fターム (34件):
5B062AA02
, 5B062DD10
, 5B062EE02
, 5B062EE10
, 5B062HH08
, 5B062JJ05
, 5F038AR21
, 5F038AV02
, 5F038AV13
, 5F038AV15
, 5F038AV16
, 5F038BE01
, 5F038BE07
, 5F038CD07
, 5F038DF01
, 5F038DF04
, 5F038DF05
, 5F038DF12
, 5F038DT15
, 5F038DT17
, 5F038DT18
, 5F038EZ07
, 5F038EZ08
, 5F038EZ20
, 5F064AA11
, 5F064BB09
, 5F064BB10
, 5F064BB13
, 5F064BB19
, 5F064BB22
, 5F064DD42
, 5F064FF05
, 5F064FF27
, 5F064FF36
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