特許

J-GLOBAL ID：201303002903206927

光放射性セラミック積層体およびその製造方法

発明者： チャン、ビン ,  パン、コアン ,  宮川 浩明 ,  藤井 宏中 ,  ムケルジー、ラジェッシュ ,  中村 年孝
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人 ユニアス国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-529359
公開番号（公開出願番号）：特表2013-543525
出願日： 2011年09月16日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：

積層複合体が、波長変換層と、非放射性障壁層とを備え、放射性層は、ガーネットホスト材料と放射性ゲスト材料を含み、非放射性障壁層は、非放射性障壁材料を含む。非放射性障壁材料を構成する金属元素は、ガーネットまたはガーネット様のホスト材料がΑ3Β5O12としてあらわされる場合、Aカチオン元素および/または放射性ゲスト材料を構成する元素のイオン半径の約80%未満のイオン半径を有し、非放射性障壁層は、第1の放射性層と第1の非放射性障壁層との界面を通って移動する放射性ゲスト材料を実質的に含まない。

請求項（抜粋）：

セラミック波長変換要素であって、 ガーネットまたはガーネット様のホスト材料および放射性ゲスト材料を含む第1の放射性層を少なくとも含み、 ガーネットまたはガーネット様のホスト材料がΑ3Β5O12であらわされるとき、Aカチオン元素および/または放射性ゲスト材料を構成する1種類の元素のイオン半径の約80%以下であるイオン半径を有する元素から本質的になる非放射性障壁材料を含む第1の非放射性障壁層を少なくとも含み、 第1の放射性層と第1の非放射性障壁層が、互いに接するように配置され、一緒に焼結されており、第1の非放射性障壁層は、第1の放射性層と第1の非放射性障壁層との界面を通って移動する放射性ゲスト材料を実質的に含まない、セラミック波長変換要素。

IPC (6件)：

C09K 11/00 ,  C09K 11/02 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/80 ,  C09K 11/79 ,  H01L 33/50

FI (7件)：

C09K11/00 A ,  C09K11/02 Z ,  C09K11/08 G ,  C09K11/80 ,  C09K11/79 ,  C09K11/08 B ,  H01L33/00 410

Fターム (39件)：

4H001CA02 ,  4H001CC04 ,  4H001CF02 ,  4H001XA08 ,  4H001XA12 ,  4H001XA13 ,  4H001XA14 ,  4H001XA20 ,  4H001XA21 ,  4H001XA31 ,  4H001XA39 ,  4H001XA64 ,  4H001XA65 ,  4H001XA71 ,  4H001YA24 ,  4H001YA25 ,  4H001YA58 ,  4H001YA59 ,  4H001YA60 ,  4H001YA62 ,  4H001YA63 ,  4H001YA64 ,  4H001YA65 ,  4H001YA68 ,  4H001YA70 ,  5F142AA05 ,  5F142AA23 ,  5F142DA02 ,  5F142DA13 ,  5F142DA15 ,  5F142DA45 ,  5F142DA52 ,  5F142DA53 ,  5F142DA54 ,  5F142DA62 ,  5F142DA73 ,  5F142FA24 ,  5F142FA28 ,  5F142HA01