特許

J-GLOBAL ID：201303003562257990

ガスバリア性フィルムの製造方法およびガスバリア性フィルム

発明者： 渡邉 祐樹 ,  谷 卓行
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
代理人 (1件)： 野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-216154
公開番号（公開出願番号）：特開2013-075407
出願日： 2011年09月30日
公開日（公表日）： 2013年04月25日
要約：

【課題】プラスチック基材およびドライコーティング層との密着がよく、生産能率の高く、高ガスバリア性を有したガスバリア性フィルムと生産方法を提供すること。【解決手段】高周波印加電極である金属ロール電極と接地電極を配置した装置構成において、電極間に不活性ガスを圧力0.5Pa以上50Pa未満で導入して、電極間に高密度なプラズマを発生させて、プラスチックフィルム基材表面にプラズマ処理を施し、基材とガスバリア層間に十分な密着性能を与える。また、真空蒸着法により酸化珪素(SiOx)からなるガスバリア層を形成する際、蒸着法と高密度プラズマを発生させる手段を併せて用いることで、生産性が高く、高いバリア性を有するガスバリア性フィルムを製造することが可能となる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基材が走行する金属ロール電極と、前記金属ロール電極に沿った形状で配置された接地電極と、の間の処理空間に窒素、ヘリウム、アルゴンのうち少なくともいずれか1つのガスまたはこれらを混合したガスを導入して、前記処理空間内の圧力を所定範囲にするガス導入工程と、 前記処理空間内に高周波電圧を印加して前記処理空間内に高密度プラズマを発生させ、前記金属ロール電極上を走行する前記基材表面にプラズマ表面処理層を形成するプラズマ表面処理層形成工程と、 真空蒸着法によって形成された蒸着粒子に高密度プラズマを衝突させることによって前記蒸着粒子を活性化させ、前記プラズマ表面処理層上に酸化珪素(SiOx)からなるガスバリア層を形成するガスバリア形成工程と、を含み、 前記金属ロール電極と前記接地電極との最短距離50mm以下であり、 前記ガス導入工程における前記処理空間内の圧力範囲は0.5Pa以上50Pa未満であり、 プラズマ表面処理層形成工程で印加する前記高周波電圧は30kHz以上4MHz以下であり、前記金属ロール電極に供給する電力と前記金属ロール電極の処理部分または開口部の面積との比から算出される電力密度と処理時間の積から求められる値が所定値以上となるように前記高周波電圧を印加することを特徴とするガスバリア性フィルムの製造方法。

IPC (4件)：

B32B 27/36 ,  C23C 14/02 ,  C23C 14/32 ,  C23C 14/56

FI (4件)：

B32B27/36 ,  C23C14/02 A ,  C23C14/32 H ,  C23C14/56 A

Fターム (28件)：

4F100AA20C ,  4F100AH08D ,  4F100AK42A ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100EH46D ,  4F100EH51 ,  4F100EH66C ,  4F100EJ42C ,  4F100EJ42D ,  4F100EJ60C ,  4F100EJ61B ,  4F100GB15 ,  4F100JD02 ,  4F100JD04 ,  4F100JK01 ,  4F100JL02 ,  4F100YY00B ,  4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA46 ,  4K029CA03 ,  4K029DB21 ,  4K029DD05 ,  4K029EA03 ,  4K029FA05 ,  4K029JA10 ,  4K029KA03