特許

J-GLOBAL ID：201303004350920769

発光デバイスのための電極構造

発明者： ダニエル・エイ・ステイジャーワルド ,  サージ・エル・ラダス ,  スティーブン・ディー・レスター ,  ポール・エス・マーティン ,  ウィリアム・アール・イムラー ,  ロバート・エム・フレッチャー ,  フレッド・エイ・キッシュ,ジュニア ,  スティーブン・エイ・マラノウスキー
出願人/特許権者： フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー
代理人 (2件)： 津軽 進 ,  笛田 秀仙
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-331422
公開番号（公開出願番号）：特開2000-164930
特許番号：特許第5097315号
出願日： 1999年11月22日
公開日（公表日）： 2000年06月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】上部表面を有するデバイス構造体と、 p形半導体層及びn形半導体層を含む、前記デバイス構造体内のヘテロ接合部であって、当該p形半導体層が当該n形半導体層の一部を覆うように形成される、ヘテロ接合部と、 前記p形半導体層に電気的に接続されているp型電極と、 前記n形半導体層に電気的に接続されているn型電極と、 を含む発光デバイスであって、 前記デバイス構造体の上部表面は、前記p形半導体層の上部表面と、前記p形半導体層で覆われていない前記n形半導体層の上部表面と、から形成されており、 前記デバイス構造体の上部表面は、当該デバイス構造体の上部表面に垂直な方向から見た場合に、多角形であり、 前記p型電極は、前記p形半導体層の上部表面上に配置され、 前記n型電極は、前記n形半導体層の上部表面上に配置され、 前記n型電極は、少なくとも2つの第1のアームと、該第1のアームへ接続されている導電部材と、からなり、 前記p型電極は、少なくとも2つの第2のアームからなり、 前記少なくとも2つの第1のアームの1つは、前記2つの第2のアームの間に配置され、 前記導電部材は、前記デバイス構造体の上部表面の少なくとも3つの縁部に沿って形成され、且つ前記第2のアームを包囲し、 前記半導体層は、AlInGaN材料の層である、 発光デバイス。

IPC (2件)：

H01L 33/38 ( 201 0.01) ,  H01L 33/32 ( 201 0.01)

FI (2件)：

H01L 33/00 210 ,  H01L 33/00 186

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-135220   出願人：旭化成工業株式会社
• 特開平3-268360
  
• 特開平3-268360