特許

J-GLOBAL ID：201303004608191457

導電性薄膜、導電性薄膜形成用塗布液、電界効果型トランジスタ、及び電界効果型トランジスタの製造方法

発明者： 松本 真二 ,  植田 尚之 ,  中村 有希 ,  ▲高▼田 美樹子 ,  曽根 雄司 ,  早乙女 遼一 ,  安部 由希子
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 廣田 浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-044888
公開番号（公開出願番号）：特開2013-225666
出願日： 2013年03月07日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：

【課題】低い抵抗率を有し、製造プロセスを増やすことなく酸化物半導体膜との良好な電気的接続を行うことができる導電性薄膜の提供。【解決手段】インジウム及びスズを含有する金属酸化物と金とを含有する導電性薄膜である。インジウムの原子数(A)、スズの原子数(B)、及び金の原子数(C)が、下記式(1)を満たすことが好ましい。 0.21≦〔C/(A+B+C)〕≦0.78 式(1)【選択図】図1B

請求項（抜粋）：

インジウム及びスズを含有する金属酸化物と金とを含有することを特徴とする導電性薄膜。

IPC (5件)：

H01L 21/28 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/288

FI (7件)：

H01L21/28 301R ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/288 Z

Fターム (62件)：

4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB36 ,  4M104BB37 ,  4M104BB38 ,  4M104BB39 ,  4M104CC01 ,  4M104DD37 ,  4M104DD51 ,  4M104DD63 ,  4M104DD79 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104HH15 ,  4M104HH16 ,  5F110AA03 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD25 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG01 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK17 ,  5F110HK32 ,  5F110HK42 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 透明導電層形成用塗布液とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-287270   出願人：住友金属鉱山株式会社
• 導電性顔料粉末及びこれを用いて作られた透明導電膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-260960   出願人：三菱マテリアル株式会社
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-151066   出願人：富士フイルム株式会社