特許

J-GLOBAL ID：201303005151047653

強誘電体薄膜の製造方法

発明者： 飯田 慎太郎 ,  桜井 英章
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-076096
公開番号（公開出願番号）：特開2013-207155
出願日： 2012年03月29日
公開日（公表日）： 2013年10月07日
要約：

【課題】材料の利用効率が非常によく、しかも所望の膜組織を有し、電気特性に優れた強誘電体薄膜を製造する方法を提供する。【解決手段】下部電極20aを有する基板20の下部電極20aに向けて強誘電体薄膜形成用ゾルゲル液21をキャピラリー14の吐出口14aから静電スプレーしてゾルゲル液21を下部電極20a上に塗布して塗膜を形成し、この塗膜を乾燥・仮焼した後、焼成して結晶化させることにより下部電極20a上に強誘電体薄膜を製造する方法において、上記キャピラリー14の吐出口14aと上記下部電極20aとの間の距離及び静電スプレー時の印加電圧を、上記塗膜の乾燥・仮焼後の屈折率が2以上になるように設定し、かつ1回のスプレーでゾルゲル液21を塗布し、仮焼した後、焼成して結晶化させたときの膜厚が150nm以下の範囲になるように1回のスプレーでのゾルゲル液21の液量を設定する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下部電極を有する基板の前記下部電極に向けて強誘電体薄膜形成用ゾルゲル液をキャピラリーの吐出口から静電スプレーして前記ゾルゲル液を前記下部電極上に塗布して塗膜を形成し、前記塗膜を乾燥・仮焼した後、焼成して結晶化させることにより前記下部電極上に強誘電体薄膜を製造する方法において、 前記キャピラリーの吐出口と前記下部電極との間の距離及び前記静電スプレー時の印加電圧を、前記塗膜の乾燥・仮焼後の屈折率が2以上になるように設定し、かつ1回の前記スプレーで前記ゾルゲル液を塗布し、仮焼した後、焼成して結晶化させたときの膜厚が150nm以下の範囲になるように前記1回のスプレーでのゾルゲル液の液量を設定することを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/39

FI (7件)：

H01L21/316 G ,  H01L21/31 A ,  H01L27/10 444C ,  H01L27/10 651 ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/22 A

Fターム (13件)：

5F045AB31 ,  5F045EB19 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02 ,  5F083AD21 ,  5F083FR00 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083PR23