特許

J-GLOBAL ID：201303006034579969

半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法

発明者： 山田 友子 ,  鑓田 宏 ,  木村 好壱
出願人/特許権者： 本田技研工業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人クシブチ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-169113
公開番号（公開出願番号）：特開2013-032965
出願日： 2011年08月02日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
要約：

【課題】半導体装置としての耐久性能に影響を与えるボイドの有無や位置を精度よく検出することが可能な半導体装置の検査装置及び半導体装置の検査方法を提供する。【解決手段】基板上にはんだ接合により半導体素子6を実装した半導体装置2の検査装置1において、半導体素子6にON電圧を印加する電源供給部12と、半導体素子6にON電圧を印加したときに、半導体素子6に短絡電流を通電させる短絡回路15と、はんだ接合部に生じるボイドのサイズ及び位置と短絡耐量時間との関係から予め設定された所定時間だけ半導体素子6に短絡電流を通電する制御手段11と、を備える構成とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にはんだ接合により半導体素子を実装した半導体装置の検査装置において、 前記半導体素子にON電圧を印加する電源供給部と、 前記半導体素子にON電圧を印加したときに、前記半導体素子に短絡電流を通電させる短絡回路と、 はんだ接合部に生じるボイドのサイズ及び位置と短絡耐量時間との関係から予め設定された所定時間だけ前記半導体素子に短絡電流を通電する制御手段と、 を備えたことを特徴とする半導体装置の検査装置。

IPC (1件)：

G01R 31/26

FI (2件)：

G01R31/26 A ,  G01R31/26 B

Fターム (7件)：

2G003AA01 ,  2G003AA02 ,  2G003AB18 ,  2G003AD06 ,  2G003AE09 ,  2G003AH01 ,  2G003AH10