特許
J-GLOBAL ID：201303006194977693

半導体デバイスの製造方法および基板処理装置

発明者：
水野 謙和

水野 謙和 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-108986
公開番号（公開出願番号）：特開2013-178574
出願日： 2013年05月23日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：
【課題】ダブル露光技術において、保護膜の膜厚を増加せずに現像液耐性を向上させ、微細パターニングを実現する半導体デバイスの製造方法を提供することにある。【解決手段】基板上に形成された第1のレジストパターンの上に少なくとも2種の膜から構成される保護膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、 異なる活性化手段により活性化された原料ガスを夫々用いて前記膜を形成する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板上に形成された第1のレジストパターンの上に少なくとも2種の膜から構成される保護膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、 異なる活性化手段により活性化された原料ガスを夫々用いて前記膜を形成する半導体デバイスの製造方法。
IPC (3件)：
G03F 7/40 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306
FI (4件)：
G03F7/40 511 ,  H01L21/30 514A ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/302 105A
Fターム (8件)：
2H096AA25 ,  2H096HA05 ,  2H096HA27 ,  5F004EA03 ,  5F004EA06 ,  5F004EA13 ,  5F146AA13 ,  5F146LA18
引用特許：
出願人引用 (5件)
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