特許

J-GLOBAL ID：201303006361337561

半導体装置及びその製造方法

発明者： 池田 靖 ,  中村 真人
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-170110
公開番号（公開出願番号）：特開2013-033891
出願日： 2011年08月03日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
要約：

【課題】Sn系はんだを用いて半導体素子を接続した半導体装置において、高温環境下においても動作安定性を確保でき、かつ、高電流負荷に耐えうる構造体を提供する。【解決手段】金属製導体に固定したセラミックス基板23に半導体素子を装着して金属製導体に放熱用のヒートシンクを取付けた構成を有する半導体装置において、半導体素子はセラミックス基板23に装着する側の面にNiメタライズ層が形成されており、半導体素子のNiメタライズ層が形成された面とセラミックス基板23とを母相の平均結晶粒径が20μm以上のSn系はんだで接合した構成とした。【選択図】図13B

請求項（抜粋）：

金属製導体に固定したセラミックス基板に半導体素子を装着して前記金属製導体に放熱用のヒートシンクを取付けた構成を有する半導体装置であって、前記半導体素子は前記セラミックス基板に装着する側の面にNiメタライズ層が形成されており、該半導体素子の前記Niメタライズ層が形成された面と前記セラミックス基板とが母相の平均結晶粒径が20μm以上のSn系はんだで接合されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/52 ,  H01L 23/40 ,  B23K 35/26 ,  C22C 13/00

FI (4件)：

H01L21/52 B ,  H01L23/40 F ,  B23K35/26 310A ,  C22C13/00

Fターム (6件)：

5F047AA14 ,  5F047BA19 ,  5F136BA30 ,  5F136BB04 ,  5F136DA27 ,  5F136EA13