特許
J-GLOBAL ID：201303006586436640
炭素薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
山川 政樹
, 山川 茂樹
, 小池 勇三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-124283
公開番号（公開出願番号）：特開2012-250875
出願日： 2011年06月02日
公開日（公表日）： 2012年12月20日
要約：
【課題】高品質なグラフェンを、低コストで大面積に形成できるようにする。【解決手段】金属層103の上に有機化合物からなる有機薄膜104を形成する。この工程において、本実施の形態では、有機薄膜104の膜厚を制御することで、後述する金属層103の表面に成長する炭素薄膜104におけるグラフェンの層数を制御するところに特徴がある。次に、不活性な雰囲気で金属層103を加熱して有機化合物を構成する炭素を金属層103に固溶させ、酸化シリコン膜102の上に炭素が固溶した金属層が形成された状態とする。次に、不活性な雰囲気で金属層を冷却して金属層に固溶していた炭素を金属層の表面に析出させることで、金属層103の表面にグラフェンからなる炭素薄膜104を成長させる。【選択図】 図1D
請求項（抜粋）：
炭素を固溶する遷移金属からなる金属層の上に有機化合物からなる有機薄膜を形成する第1工程と、
不活性な雰囲気で前記金属層を加熱して前記有機化合物を構成する炭素を前記金属層に固溶させる第2工程と、
不活性な雰囲気で前記金属層を冷却して前記金属層に固溶していた炭素を前記金属層の表面に析出させて前記金属層の表面にグラフェンからなる炭素薄膜を成長させる第3工程と
を少なくとも備え、
前記有機薄膜の膜厚を制御することで前記金属層の表面に成長する前記炭素薄膜におけるグラフェンの層数を制御することを特徴とする炭素薄膜の形成方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (13件)：
4G146AA01
, 4G146AB07
, 4G146AC16B
, 4G146BA13
, 4G146BA42
, 4G146BB23
, 4G146BC09
, 4G146BC23
, 4G146BC27
, 4G146BC33B
, 4G146BC44
, 4G146BC46
, 4G146BC47
