特許
J-GLOBAL ID：201303006652679710

パターン形成方法、モールドの回復方法、およびレプリカモールドの製造方法

発明者：
河野 昭彦

河野 昭彦 について

, 
堀邊 英夫

堀邊 英夫 について


出願人/特許権者：
学校法人金沢工業大学

学校法人金沢工業大学 について


代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-278167
公開番号（公開出願番号）：特開2013-131524
出願日： 2011年12月20日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：
【課題】ナノインプリントリソグラフィにおいてモールドに付着した樹脂等を除去する技術を提供する。【解決手段】 ナノインプリント用モールド14を用いて樹脂12にパターンを形成する工程と、パターンの形成に使用されたナノインプリント用モールド14に対して原子状水素を照射することにより、樹脂22が付着している場合に当該樹脂12を除去する工程と、を含む。付着した樹脂22が除去されたモールド14は、再びパターンの形成に使用することができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
ナノインプリント用モールドを用いて樹脂にパターンを形成する工程と、 パターンの形成に使用された前記ナノインプリント用モールドに対して原子状水素を照射することにより、樹脂が付着している場合に当該樹脂を除去する工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  B29C 59/02 ,  B29C 33/72
FI (3件)：
H01L21/30 502D ,  B29C59/02 Z ,  B29C33/72
Fターム (19件)：
4F202AM10 ,  4F202CA19 ,  4F202CB29 ,  4F202CS02 ,  4F209AA44 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AH73 ,  4F209AJ02 ,  4F209AJ03 ,  4F209AJ06 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC01 ,  4F209PQ11 ,  4F209PQ14 ,  4F209PQ20 ,  5F146AA34
引用特許：
審査官引用 (9件)
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