特許

J-GLOBAL ID：201303006749878963

半導体モジュール

発明者： 米山 玲 ,  岡部 浩之 ,  井上 貴公 ,  酒井 伸次
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-280836
公開番号（公開出願番号）：特開2013-132155
出願日： 2011年12月22日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：

【課題】高い突入電流耐量を有する半導体モジュールの提供を目的とする。【解決手段】本発明に係る半導体モジュール10は、ワイドバンドギャップ半導体で構成されたスイッチング素子11と、スイッチング素子11に逆並列接続された還流ダイオード12とを備え、還流ダイオード12はシリコンで構成されかつ負の温度特性を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ワイドバンドギャップ半導体で構成されたスイッチング素子と、 前記スイッチング素子に逆並列接続された還流ダイオードと、 を備え、 前記還流ダイオードはシリコンで構成されかつ負の温度特性を有する、 半導体モジュール。

IPC (7件)：

H02M 7/48 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/06

FI (4件)：

H02M7/48 Z ,  H01L27/04 H ,  H01L29/91 L ,  H01L27/06 102A

Fターム (14件)：

5F038BH04 ,  5F038BH16 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ07 ,  5F038EZ20 ,  5F048AB07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC10 ,  5F048BA14 ,  5H007CA02 ,  5H007CB05 ,  5H007CC23 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• スイッチング回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-039358   出願人：日産自動車株式会社
• 電力変換回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-109159   出願人：三菱電機株式会社