特許
J-GLOBAL ID：201303006813270451

レゾルシノールを含有する剥離溶液を用いた金属保護の改善

発明者：
アトキンソン,ジョン・エム

アトキンソン,ジョン・エム について

, 
ポラード,キンバリー・ドナ

ポラード,キンバリー・ドナ について


出願人/特許権者：
ダイナロイ・エルエルシー

ダイナロイ・エルエルシー について


代理人 (5件)： 小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  森下 梓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-182316
公開番号（公開出願番号）：特開2013-008042
出願日： 2012年08月21日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
要約：
【課題】半導体集積回路及び/又は液晶のための半導体デバイス上に回路を作製し、及び/又は電極を形成するために有用な、金属及び合金エッチレート(特に銅エッチレート及びTiWエッチレート)の低下したレジスト剥離剤及び、その使用方法の提供。【解決手段】銅塩を添加するか、又は銅塩無しで、及び銅塩の可溶性を改善するためのアミンを添加するか、又はアミン無しで、低い濃度のレゾルシノール又はレゾルシノール誘導体を含有し、更に、これらの方法によって製造された集積回路デバイス及び電気的相互接続構造。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a)レジスト及び金属をその上に有する基板を準備し;そして (b)前記基板を剥離溶液及びレゾルシノール類を含む組成物と接触させる 工程を含む、基板からレジストを取り除くための方法。
IPC (3件)：
G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304
FI (3件)：
G03F7/42 ,  H01L21/30 572B ,  H01L21/304 647A
Fターム (21件)：
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096LA03 ,  5F146MA02 ,  5F157AA28 ,  5F157AA35 ,  5F157AA36 ,  5F157AA63 ,  5F157AA64 ,  5F157AA93 ,  5F157BB22 ,  5F157BC03 ,  5F157BC12 ,  5F157BC55 ,  5F157BF02 ,  5F157BF32 ,  5F157BF38 ,  5F157BF39 ,  5F157CE36 ,  5F157DB03 ,  5F157DB18
引用特許：
審査官引用 (1件)

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