半導体装置の製造方法、半導体ウェハの加工方法、半導体ウェハ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：伊東忠彦 , 山口昭則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-280569
公開番号（公開出願番号）：特開2013-131652
出願日： 2011年12月21日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：

【課題】半導体ウェハの第1の主面を支持基板に接着剤層により接着し、第2の主面を研削する工程において、支持基板の接着の際に押し出され、あるいは流出した未硬化の接着剤が、半導体ウェハの外周部を回り込んで第2の主面に到達し、研削工程を不安定にする問題を解決する。【解決手段】半導体ウェハの第1の主面に外周部に沿って溝を形成し、支持基板の接着の際に押し出され、あるいは流出した未硬化接着剤を捕捉する。【選択図】図4A

請求項（抜粋）：

半導体ウェハの第1の面に、前記半導体ウェハの外周部に沿って溝部を形成する工程と、前記第1の面上に半導体素子を形成する工程と、前記第1の面に、前記半導体素子を覆って接着剤層を形成する工程と、前記第1の面上に、前記接着剤層により、支持基板を接着する工程と、前記支持基板の接着の後、前記第1の面に対向する前記半導体ウェハの第2の面を研削する工程と、前記研削する工程の後、前記半導体ウェハを個々の半導体チップにダイシングする工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 , H01L 23/522 , H01L 21/768 , H01L 21/320

FI (4件)：

H01L21/304 622J , H01L21/304 631 , H01L21/304 622N , H01L21/88 J

Fターム (30件)：

5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033MM30 , 5F033PP27 , 5F033QQ07 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ37 , 5F033QQ47 , 5F033QQ73 , 5F033QQ76 , 5F033RR06 , 5F033RR22 , 5F033SS25 , 5F033SS27 , 5F033TT06 , 5F033TT07 , 5F033WW01 , 5F057AA12 , 5F057BA26 , 5F057BB03 , 5F057CA14 , 5F057CA16 , 5F057CA24 , 5F057CA31 , 5F057CA36 , 5F057DA11 , 5F057FA22 , 5F057FA28

引用特許：

審査官引用 (12件)

光ディスク及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-006334 出願人：ソニー株式会社
特開平4-263136
特開平4-263136

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