特許

J-GLOBAL ID：201303007335014920

直接転写による埋込み電極を有する構造体の製造方法およびこのようにして得られる構造体

発明者： オドレイ・ベルトゥロ ,  ヴァンサン・ラレイ ,  ジャン-フィリップ・ポリッツィ ,  マリ-エレーヌ・ボダイン ,  ヘマン・ディセイ ,  ウー・テ・パク
出願人/特許権者： コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ ,  フリースケール セミコンダクター インコーポレーテッド
代理人 (4件)： 村山 靖彦 ,  志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-155321
公開番号（公開出願番号）：特開2013-018114
出願日： 2012年07月11日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
要約：

【課題】マイクロシステムおよび/またはナノシステムタイプの新規作製方法、ならびに新規構造体を提供すること。【解決手段】下部電極と呼ばれる少なくとも1つの電極(102)、および少なくとも1つの誘電体層(103)を含む第1の基板(100)と、 可動部分(210)を含めた、デバイスのメイン平面と呼ばれる平面全体に延在する中間基板(200’)と、 中間基板(200’)に付着された上部基板(300)であって、前記可動部分が下部電極と上部基板との間を移動することができる、上部基板とを含む、マイクロシステムおよび/またはナノシステムタイプのデバイスについて記載されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

下部電極と呼ばれる少なくとも1つ電極(12、102)、および少なくとも1つの誘電体層(11、103)を有する第1の基板(10、100)と、 可動部分(210)を有する、前記デバイスのメイン平面と呼ばれる平面全体にわたって延在し、前記第1の基板(100)に分子結合によって前記可動部分の外側で付着された中間基板(200’)であって、前記可動部分が、前記下部電極(102)の少なくとも一部分と向かい合っている、中間基板と、 前記中間基板(200’)に付着された上部基板(300)であって、前記可動部分が前記下部電極と前記上部基板との間で動くように作られることができる、上部基板と を含む、マイクロシステムおよび/またはナノシステムタイプのデバイス。

IPC (3件)：

B81B 3/00 ,  G01C 19/576 ,  G01C 19/575

FI (3件)：

B81B3/00 ,  G01C19/56 269 ,  G01C19/56 255

Fターム (20件)：

2F105AA02 ,  2F105BB15 ,  2F105CC04 ,  2F105CD03 ,  2F105CD05 ,  3C081BA07 ,  3C081BA11 ,  3C081BA30 ,  3C081BA44 ,  3C081BA48 ,  3C081BA53 ,  3C081BA76 ,  3C081CA03 ,  3C081CA14 ,  3C081CA20 ,  3C081CA32 ,  3C081CA40 ,  3C081DA03 ,  3C081DA04 ,  3C081EA02