特許
J-GLOBAL ID：201303007876159298
ナノ構造を必要とせず半導体材料製の処理済層を利用したセーベック/ペルティ効果を利用した熱-電気変換装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
三俣 弘文
, 桂木 雄二
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-520117
公開番号（公開出願番号）：特表2012-533185
出願日： 2010年07月14日
公開日（公表日）： 2012年12月20日
要約：
【課題】効率の良いセーベック/ペルティ効果を利用した熱-電気変換装置を提供する。【解決手段】 本発明の熱-電気変換装置は、伝熱率の低い誘電体材料製の平坦な支持部材(1)と、前記支持部材(1)の主面上に堆積される、ドープした多結晶半導体材料製の層(3)と、(前記ドープした多結晶半導体材料製の層(3)の材料のバルク導電率は、1.0Ω-1cm-1以上であり、前記ドープした多結晶半導体材料製の層(3)には、インシチュ(in situ)で様々なエネルギーでイオン注入され、その濃度は、導電率を下げることなく、前記半導体材料中のフォノン散乱を低減させる程度であり)、一対の金属製接点(4,5)と、から構成される。前記一対の金属製接点(4,5)は、前記ドープした多結晶半導体材料製の層(3)の両側を外部回路に接続される前記一対の金属接点に一致する一対の主面は、異なる温度である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
セーベック/ペルティ効果を利用した熱-電気変換装置において、
(A) 伝熱率の低い誘電体材料製の平坦な支持部材(1)と、
(B) 前記支持部材(1)の主面上に堆積されるドープした多結晶半導体材料製の層(3)と、
前記ドープした多結晶半導体材料製の層(3)の材料のバルク導電率は、1.0Ω-1cm-1以上であり、前記ドープした多結晶半導体材料製の層(3)には、インシチュ(in situ)で様々なエネルギーでイオンが注入され、その濃度は、導電率を下げることなく、前記半導体材料中のフォノン散乱を低減させる程度であり、
(C) 一対の金属製接点(4,5)と、
前記一対の金属製接点(4,5)は、前記ドープした多結晶半導体材料製の層(3)の両側を外部回路に接続し、
を有し、
前記一対の金属接点(4,5)に対応する一対の主面は、異なる温度に設定される
ことを特徴とするセーベック/ペルティ効果を利用した熱-電気変換装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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