特許

J-GLOBAL ID：201303007979252148

光電変換素子および電子機器

発明者： 篠原 祐治 ,  安食 嘉晴
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 増田 達哉 ,  朝比 一夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-345086
公開番号（公開出願番号）：特開2008-159721
特許番号：特許第4770728号
出願日： 2006年12月21日
公開日（公表日）： 2008年07月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 負極と、 前記負極の一方の面側に設けられ、無機半導体材料を主材料とする複数の半導体粒子で構成された半導体層を含む光電変換層と、 前記半導体粒子同士の間隙の少なくとも一部に充填され、かつ前記光電変換層の前記負極と反対側の面を覆うように設けられた正孔輸送層と、 前記正孔輸送層の前記光電変換層と反対側に設けられた正極とを有し、 前記正孔輸送層が、下記一般式(1)で表される化合物を含む材料で構成されていることを特徴とする光電変換素子。 [式中、X1、X2、X3およびX4は、それぞれ独立して、水素原子または置換もしくは無置換の直鎖アルキル基を表し、同一であっても、異なっていてもよい。ただし、X1、X2、X3およびX4のうちの少なくとも1つは、炭素数3〜8の置換もしくは無置換の直鎖アルキル基を表し、その他のものは、水素原子、メチル基またはエチル基を表す。また、8つのRは、それぞれ独立して、水素原子、メチル基またはエチル基を表し、同一であっても、異なっていてもよく、Yは、置換もしくは無置換の芳香族炭化水素環を少なくとも1つ含む基を表す。]

IPC (2件)：

H01L 51/42 ( 200 6.01) ,  H01L 31/04 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 31/04 D ,  H01L 31/04 E