特許

J-GLOBAL ID：201303008332466894

電極アッセンブリ

発明者： ハオ・ファングリ ,  エリングボエ・アルバート・アール. ,  レンズ・エリック・エイチ.
出願人/特許権者： ラム リサーチ コーポレーション
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-550777
特許番号：特許第5238114号
出願日： 2000年12月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 基板の表面を処理するためのプラズマ処理システムであって、 上端と下端とを有すると共に、前記処理のために内部でプラズマが点火および維持される処理チャンバと、 前記処理チャンバの内部に電界を発生させるよう構成されると共に、前記処理チャンバの前記下端に配置された電極と、 前記処理中に前記基板を保持するよう構成されると共に、前記電極の上方に配置されたチャックと、 前記電極および前記チャックを前記プラズマから保護するよう構成されると共に、前記電極の上方に配置された誘電性材料から形成されるエッジリングであって、前記基板の外縁近傍に上部内側縁部を形成し、前記基板下方の前記チャックの外縁近傍に下部内側縁部を形成するよう前記電極と前記基板との間に配置されるよう構成された第1の部分を有する、エッジリングと、 前記電極と前記エッジリングとの間に配置されると共に閉じ込められたインピーダンスマッチング層であって、前記エッジリングが有する誘電率よりも大きな誘電率を有し、前記基板の中央部における前記電極と前記プラズマとの間のインピーダンスと前記基板の縁部における前記電極と前記プラズマとの間のインピーダンスとが等しくなるように制御するインピーダンスマッチング層とを備え、前記インピーダンスは、前記電界に影響を与えることにより、前記基板の表面にわたって処理の均一性を改善するよう構成されているシステム。

IPC (5件)：

C23C 16/505 ( 200 6.01) ,  H01J 37/32 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3065 ( 200 6.01) ,  H05H 1/46 ( 200 6.01)

FI (5件)：

C23C 16/505 ,  H01J 37/32 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 101 G ,  H05H 1/46 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-147672   出願人：株式会社日立製作所
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-022736   出願人：東京エレクトロン株式会社