特許
J-GLOBAL ID:201303008633407621

アトミックプログラムシーケンスおよび書き込みアボート検出を伴う不揮発性メモリおよび方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井ノ口 壽
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-544829
公開番号(公開出願番号):特表2013-514602
出願日: 2010年12月16日
公開日(公表日): 2013年04月25日
要約:
不揮発性メモリにおけるプログラム操作は、所定の接合部で、別々の時に実行される複数のより小さいセグメントに分割される。その所定の接合部は、操作を次のセグメントでリスタートする時に操作が操作の始めからリスタートすることを必要とせずに続行し得るように、一義的な識別を可能とするような接合部である。これは、各セグメントのプログラミングシーケンスがアトミックであること、すなわち単に所定のタイプのプログラミングステップで終わることを要求することによって成し遂げられる。次のセグメントにおいて、その終了プログラミングステップは、プログラム済みワード線のグループを横断する所定のパターンのECCエラーを検出することによって識別される。
請求項(抜粋):
複数のブロックを成すように編成されたメモリセルのアレイを有する不揮発性メモリでであって、各ブロックのメモリセルが一緒に消去可能であると共に複数のワード線によりアクセス可能であり、ワード線の一部分が複数のタイプのプログラミングパスのセットによりマルチビットデータでプログラム可能なセルのページをそれぞれ有する不揮発性メモリにおいて、ブロックにデータをプログラムする方法であって、 データをブロックに、前記ブロック内のワード線のグループに1ステップずつプログラムすることによって、プログラムし、 前記プログラムすることを複数のプログラムセグメントに分割し、終了プログラミングステップが次のセグメントで発見可能であるように、各セグメントがセットの中のプログラミングパスの指定されたタイプを有する終了プログラミングステップで終わるプログラミングステップを有する方法。
IPC (3件):
G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06
FI (4件):
G11C17/00 611G ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 639C ,  G11C17/00 641
Fターム (13件):
5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA01 ,  5B125CA08 ,  5B125DB02 ,  5B125DD02 ,  5B125DD09 ,  5B125DE08 ,  5B125DE12 ,  5B125DE20 ,  5B125EA05 ,  5B125FA01 ,  5B125FA04

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