特許
J-GLOBAL ID:201303008923089178

半導体装置用ボンディングワイヤ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 酒井 正己 ,  加々美 紀雄 ,  須田 芳國
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-034432
公開番号(公開出願番号):特開2013-219329
出願日: 2013年02月25日
公開日(公表日): 2013年10月24日
要約:
【課題】本発明は、銅又は銅合金からなるボンディングワイヤの酸化変質を防止すると共にボンディングワイヤ先端部に真球状の接続ボールを形成することができ、ボンディング性を低下させることなく、長期間の使用および信頼性を高めたボンディングワイヤを提供することを目的とする。【解決手段】銅もしくは銅合金からなる芯材と、該芯材の上にアゾール化合物を含有する表皮層を有し、該表皮層の厚さが100nm以下であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。【選択図】なし
請求項(抜粋):
銅もしくは銅合金からなる芯材と、該芯材の上にアゾール化合物を含有する表皮層を有し、該表皮層の厚さが100nm以下であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。
IPC (1件):
H01L 21/60
FI (1件):
H01L21/60 301F
Fターム (2件):
5F044FF06 ,  5F044FF10
引用特許:
審査官引用 (1件)

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