背面放熱を伴う絶縁体上半導体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-520758
公開番号（公開出願番号）：特表2012-533887
出願日： 2010年07月14日
公開日（公表日）： 2012年12月27日
要約：

本発明の実施形態は、絶縁体上半導体(SOI)構造からの熱の放散を提供する。一実施形態では、集積回路を製造する方法が開示される。第1のステップでは、アクティブ回路が、SOIウエハのアクティブ層内に形成される。第2のステップでは、基板材料が、SOIウエハの背面上に配置された基板層から除去される。第3のステップでは、絶縁材料が、SOIウエハの背面から除去されて掘られた絶縁体領域を形成する。第4のステップでは、放熱層が、前記掘られた絶縁層上に堆積される。放熱層は、熱的に伝導性があり、かつ電気的に絶縁する。

請求項（抜粋）：

放熱層と、前記放熱層の上方に位置するアクティブ層と、前記アクティブ層の上方に位置するハンドルウエハと、を備え、前記放熱層は、高い熱伝導性を有し、かつ電気的に絶縁する、絶縁体上半導体構造。

IPC (4件)：

H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (6件)：

H01L27/12 B , H01L29/78 626C , H01L29/78 627D , H01L21/02 B , H01L21/02 C , H01L29/78 623Z

Fターム (18件)：

5F110AA23 , 5F110BB04 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD06 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG24 , 5F110QQ16 , 5F110QQ17

引用特許：

出願人引用 (3件)

半導体装置及び光弁装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-222627 出願人：セイコー電子工業株式会社
特開平4-356967
特開平3-011666

審査官引用 (3件)

半導体装置及び光弁装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-222627 出願人：セイコー電子工業株式会社
特開平4-356967
特開平3-011666

前のページに戻る